據SIA最新發布的(de)半導體(tǐ)銷售數據，2022 年(nián) 1 月(yuè)，全球半導體(tǐ)行業(yè)銷售額為(wèi) 507 億美(měi)元，比 2021 年(nián) 1 月(yuè)的(de) 400 億美(měi)元增長(cháng) 26.8%，比 2021 年(nián)12 月(yuè) 的(de)509 億美(měi)元下(xià)降 0.2%。
SIA 總裁兼首席執行官 John Neuffer 表示：“繼 2021 年(nián)創紀錄的(de)銷售額和(hé)出貨量之後，全球半導體(tǐ)銷售額在 2022 年(nián)初保持強勁，在 1 月(yuè)份達到有(yǒu)史以來(lái)第二高(gāo)的(de)月(yuè)度銷售額。” “1月(yuè)份全球銷售額連續第十個(gè)月(yuè)同比增長(cháng)超過20%，1月(yuè)份進入美(měi)洲的(de)銷售額同比增長(cháng)40.2%，領跑所有(yǒu)區(qū)域市(shì)場(chǎng)。”除了美(měi)洲的(de)銷售額同比增長(cháng)外(wài)，與 2021 年(nián) 1 月(yuè)相(xiàng)比，歐洲 (28.7%)、中國(guó) (24.4%)、亞太地(dì)區(qū)/所有(yǒu)其他(tā)地(dì)區(qū) (21.0%) 和(hé)日(rì)本 (18.9%) 的(de)銷售額也有(yǒu)所增長(cháng)）。歐洲 (3.4%) 和(hé)亞太地(dì)區(qū)/所有(yǒu)其他(tā) (0.4%) 的(de)月(yuè)度銷售額增長(cháng)，但(dàn)在中國(guó) (-0.7%)、美(měi)洲 (-1.1%) 和(hé)日(rì)本 (-1.3%) 略有(yǒu)下(xià)降.
SIA：中國(guó)大陸去(qù)年(nián)半導體(tǐ)銷售額達1925億美(měi)元，同比增27.1%
美(měi)國(guó)半導體(tǐ)行業(yè)協會日(rì)前發布數據顯示，2021年(nián)全球芯片銷售額達到創紀錄的(de)5559億美(měi)元，同比增長(cháng)26.2%，并預測2022年(nián)将增長(cháng)8.8%。協會首席執行官JohnNeuffer在談到2022年(nián)預計(jì)的(de)增長(cháng)放(fàng)緩時(shí)表示：“需求增長(cháng)的(de)趨勢仍然非常強烈。我們隻是不會像在疫情期間(jiān)那(nà)樣獲得這(zhè)種刺激性效應。”該協會認為(wèi)，2020年(nián)的(de)銷售額比上(shàng)年(nián)增長(cháng)6.8%，而2021年(nián)是自(zì)2018年(nián)以來(lái)芯片銷量首次超過一萬億的(de)一年(nián)。Neuffer指出，2021年(nián)全球售出了1.15萬億顆半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)，其中車規級芯片增幅最大。該領域的(de)銷售額比上(shàng)年(nián)增長(cháng)34%，達到264億美(měi)元，出貨量同比增長(cháng)了33%。SIA還(hái)表示，中國(guó)大陸仍然是全球最大的(de)半導體(tǐ)市(shì)場(chǎng)，2021年(nián)銷售額總計(jì)1925億美(měi)元，增長(cháng)27.1%，歐洲（27.3%）、亞太地(dì)區(qū)/所有(yǒu)其他(tā)地(dì)區(qū)（25.9%）和(hé)日(rì)本（19.8%）的(de)年(nián)銷售額也有(yǒu)所增長(cháng)。從(cóng)區(qū)域來(lái)看(kàn)，2021年(nián)美(měi)洲市(shì)場(chǎng)的(de)銷售額增幅最大（27.4%）。
SIA：中國(guó)大陸芯片銷量大增，超越台灣，接近(jìn)歐洲日(rì)本
據SIA報道(dào)，來(lái)自(zì)中國(guó)公司的(de)全球芯片銷售額正在上(shàng)升，這(zhè)主要是由于美(měi)中緊張局勢加劇(jù)以及全國(guó)範圍內(nèi)推動中國(guó)芯片行業(yè)發展的(de)努力的(de)結果。
SIA表示，就在五年(nián)前，中國(guó)大陸的(de)半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)銷售額為(wèi) 130 億美(měi)元，僅占全球芯片銷售額的(de) 3.8%。然而，根據 SIA 的(de)分析 ，2020 年(nián)，中國(guó)大陸半導體(tǐ)行業(yè)實現(xiàn)了前所未有(yǒu)的(de) 30.6% 的(de)年(nián)增長(cháng)率，年(nián)總銷售額達到 398 億美(měi)元。增長(cháng)的(de)躍升幫助中國(guó)大陸在 2020 年(nián)占據了全球半導體(tǐ)市(shì)場(chǎng) 9% 的(de)份額，連續兩年(nián)超過中國(guó)台灣，緊随日(rì)本和(hé)歐盟，各占 10% 的(de)市(shì)場(chǎng)份額。2021 年(nián)的(de)銷售數據尚未公布。
如果中國(guó)大陸半導體(tǐ)發展繼續保持強勁勢頭——在未來(lái)三年(nián)保持 30% 的(de)複合年(nián)增長(cháng)率——并假設其他(tā)國(guó)家(jiā)/地(dì)區(qū)的(de)産業(yè)增長(cháng)率保持不變，到 2024 年(nián)，中國(guó)大陸半導體(tǐ)産業(yè)的(de)年(nián)收入可能達到 1160 億美(měi)元，超過 17.4 % 的(de)全球市(shì)場(chǎng)份額 。這(zhè)将使中國(guó)大陸在全球市(shì)場(chǎng)份額上(shàng)僅次于美(měi)國(guó)和(hé)韓國(guó)。
同樣令人(rén)吃(chī)驚的(de)是中國(guó)湧入半導體(tǐ)行業(yè)的(de)新公司數量。SIA表示，2020年(nián)，中國(guó)大陸有(yǒu)近(jìn)1.5萬家(jiā)企業(yè)注冊為(wèi)半導體(tǐ)企業(yè)。這(zhè)些新公司中有(yǒu)大量是專門從(cóng)事(shì) GPU、EDA、FPGA、AI 計(jì)算(suàn)和(hé)其他(tā)高(gāo)端芯片設計(jì)的(de)無晶圓廠(chǎng)初創公司。其中許多公司正在開(kāi)發先進的(de)芯片，在前沿工(gōng)藝節點上(shàng)設計(jì)和(hé)流片設備。中國(guó)高(gāo)端邏輯器(qì)件(jiàn)的(de)銷售也在加速增長(cháng)，中國(guó) CPU、GPU 和(hé) FPGA 部門的(de)總收入以每年(nián) 128% 的(de)速度增長(cháng)，到 2020 年(nián)收入接近(jìn) 10 億美(měi)元，遠(yuǎn)高(gāo)于 2015 年(nián)的(de)6000 萬美(měi)元。
中國(guó)半導體(tǐ)企業(yè)實現(xiàn)強勁增長(cháng)
在中國(guó)半導體(tǐ)供應鏈的(de)所有(yǒu)四個(gè)子(zǐ)領域——無晶圓廠(chǎng)、IDM、代工(gōng)和(hé) OSAT——中國(guó)公司去(qù)年(nián)的(de)收入都(dōu)錄得快速增長(cháng)，年(nián)增長(cháng)率分别為(wèi) 36%、23%、32%、23%。在 SIA 分析中。中國(guó)領先的(de)半導體(tǐ)公司有(yǒu)望在多個(gè)子(zǐ)市(shì)場(chǎng)向國(guó)內(nèi)乃至全球擴張。SIA 分析進一步顯示，2020 年(nián)，中國(guó)大陸在全球無晶圓半導體(tǐ)領域的(de)市(shì)場(chǎng)份額高(gāo)達 16%，排名第三，僅次于美(měi)國(guó)和(hé)中國(guó)台灣，高(gāo)于 2015 年(nián)的(de) 10% 。受益于中國(guó)龐大的(de)消費(fèi)市(shì)場(chǎng)和(hé) 5G 市(shì)場(chǎng)，盡管出口管制收緊（主要由于中國(guó)官方貿易數據顯示的(de)大量庫存），中國(guó)最大的(de)芯片設計(jì)商華為(wèi)的(de)海(hǎi)思半導體(tǐ)在 2020 年(nián)創造了近(jìn) 100 億美(měi)元的(de)收入。其他(tā)中國(guó)無晶圓廠(chǎng)公司，如通(tōng)信芯片供應商紫光(guāng)展銳、MCU 和(hé) NOR 閃存設計(jì)商 GigaDevice、指紋芯片公司彙頂科(kē)技(jì)以及圖像傳感器(qì)設計(jì)商 Galaxycore 和(hé) OmniVision（一家(jiā)被中國(guó)收購的(de)美(měi)國(guó)總部）均報告了 20-40%年(nián)增長(cháng)率成為(wèi)中國(guó)頂級的(de)無晶圓廠(chǎng)公司。與此同時(shí)，中國(guó)消費(fèi)電(diàn)子(zǐ)和(hé)家(jiā)電(diàn)OEM以及領先的(de)互聯網公司也通(tōng)過內(nèi)部設計(jì)芯片和(hé)投資老(lǎo)牌半導體(tǐ)公司的(de)方式加大了向半導體(tǐ)領域的(de)擴張力度，在設計(jì)先進芯片和(hé)建設國(guó)産芯片方面取得了顯着進展。中國(guó)還(hái)在構建其半導體(tǐ)制造供應鏈方面保持強勁增長(cháng)，2021 年(nián)，國(guó)內(nèi)宣布新增 28 個(gè)晶圓廠(chǎng)建設項目，新計(jì)劃資金(jīn)總額為(wèi) 260 億美(měi)元 。中芯國(guó)際和(hé)其他(tā)中國(guó)半導體(tǐ)領導者則宣布建設更多的(de)工(gōng)廠(chǎng)，重點是成熟的(de)技(jì)術節點。在各方支持下(xià)，晶圓制造初創公司在後緣制造領域不斷湧現(xiàn)。在芯片制造方面，由于華為(wèi)和(hé)中芯國(guó)際被列入美(měi)國(guó)政府的(de)實體(tǐ)清單（分别是中國(guó)最先進的(de)芯片設計(jì)和(hé)代工(gōng)），中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)受到了不小(xiǎo)的(de)影響。由于這(zhè)一變化(huà)，從(cóng) 2020 年(nián) 9 月(yuè)到 2021 年(nián) 11 月(yuè)，中國(guó)晶圓制造商在成熟節點（>=14nm）上(shàng)增加了近(jìn) 50 萬片/月(yuè)的(de)晶圓（WPM）産能，而在先進節點上(shàng)僅增加了 1 萬片産能。僅中國(guó)的(de)晶圓産能增長(cháng)就占全球總量的(de) 26% 。2021 年(nián)，中國(guó)也開(kāi)始了國(guó)産移動 19nm DDR4 DRAM 設備和(hé) 64 層 3D NAND 閃存芯片的(de)商業(yè)出貨，并開(kāi)始了 128 層産品嘗試。雖然中國(guó)存儲器(qì)行業(yè)仍處于發展初期，但(dàn)預計(jì)中國(guó)存儲器(qì)企業(yè)在未來(lái)五年(nián)內(nèi)将實現(xiàn) 40-50% 的(de)年(nián)複合增長(cháng)率并具有(yǒu)很(hěn)強的(de)競争力。在後端生(shēng)産方面，中國(guó)是外(wài)包組裝、封裝和(hé)測試 (OSAT) 的(de)全球領導者，其前三大 OSAT 參與者合計(jì)占據全球市(shì)場(chǎng)份額的(de) 35% 以上(shàng)。種種迹象表明(míng)，中國(guó)半導體(tǐ)芯片銷售的(de)快速增長(cháng)很(hěn)可能會持續，這(zhè)在很(hěn)大程度上(shàng)歸功于政府的(de)堅定承諾以及面對(duì)不斷惡化(huà)的(de)美(měi)中關系的(de)強有(yǒu)力的(de)政策支持。盡管中國(guó)要趕上(shàng)現(xiàn)有(yǒu)的(de)行業(yè)領導者還(hái)有(yǒu)很(hěn)長(cháng)的(de)路(lù)要走——尤其是在先進節點代工(gōng)生(shēng)産、設備和(hé)材料方面——但(dàn)随着北京加強對(duì)半導體(tǐ)自(zì)力更生(shēng)的(de)關注，預計(jì)未來(lái)十年(nián)差距将進一步縮小(xiǎo)。
