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SIA:中國(guó)半導體(tǐ)銷售,同比上(shàng)升24.4%
來(lái)源:半導體(tǐ)行業(yè)觀察 | 作(zuò)者:sophie | 發布時(shí)間(jiān): 2022-03-07 | 3485 次浏覽 | 分享到:



在芯片制造方面,由于華為(wèi)和(hé)中芯國(guó)際被列入美(měi)國(guó)政府的(de)實體(tǐ)清單(分别是中國(guó)最先進的(de)芯片設計(jì)和(hé)代工(gōng)),中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)受到了不小(xiǎo)的(de)影響。由于這(zhè)一變化(huà),從(cóng) 2020 年(nián) 9 月(yuè)到 2021 年(nián) 11 月(yuè),中國(guó)晶圓制造商在成熟節點(>=14nm)上(shàng)增加了近(jìn) 50 萬片/月(yuè)的(de)晶圓(WPM)産能,而在先進節點上(shàng)僅增加了 1 萬片産能。僅中國(guó)的(de)晶圓産能增長(cháng)就占全球總量的(de) 26% 。2021 年(nián),中國(guó)也開(kāi)始了國(guó)産移動 19nm DDR4 DRAM 設備和(hé) 64 層 3D NAND 閃存芯片的(de)商業(yè)出貨,并開(kāi)始了 128 層産品嘗試。雖然中國(guó)存儲器(qì)行業(yè)仍處于發展初期,但(dàn)預計(jì)中國(guó)存儲器(qì)企業(yè)在未來(lái)五年(nián)內(nèi)将實現(xiàn) 40-50% 的(de)年(nián)複合增長(cháng)率并具有(yǒu)很(hěn)強的(de)競争力。在後端生(shēng)産方面,中國(guó)是外(wài)包組裝、封裝和(hé)測試 (OSAT) 的(de)全球領導者,其前三大 OSAT 參與者合計(jì)占據全球市(shì)場(chǎng)份額的(de) 35% 以上(shàng)。

種種迹象表明(míng),中國(guó)半導體(tǐ)芯片銷售的(de)快速增長(cháng)很(hěn)可能會持續,這(zhè)在很(hěn)大程度上(shàng)歸功于政府的(de)堅定承諾以及面對(duì)不斷惡化(huà)的(de)美(měi)中關系的(de)強有(yǒu)力的(de)政策支持。盡管中國(guó)要趕上(shàng)現(xiàn)有(yǒu)的(de)行業(yè)領導者還(hái)有(yǒu)很(hěn)長(cháng)的(de)路(lù)要走——尤其是在先進節點代工(gōng)生(shēng)産、設備和(hé)材料方面——但(dàn)随着北京加強對(duì)半導體(tǐ)自(zì)力更生(shēng)的(de)關注,預計(jì)未來(lái)十年(nián)差距将進一步縮小(xiǎo)。