先進封裝：誰是赢家(jiā)？誰是輸家(jiā)？
近(jìn)年(nián)來(lái)，因為(wèi)傳統的(de)晶體(tǐ)管微(wēi)縮方法走向了末路(lù)，于是産業(yè)便轉向封裝尋求提升芯片性能的(de)新方法。例如近(jìn)日(rì)的(de)行業(yè)熱點新聞《打破Chiplet的(de)最後一道(dào)屏障，全新互聯标準UCIe宣告成立》，可以說(shuō)把Chiplet和(hé)先進封裝的(de)熱度推向了又(yòu)一個(gè)新高(gāo)峰？
那(nà)麽為(wèi)什麽我們需要先進封裝呢(ne)？且看(kàn)Yole解讀一下(xià)。
來(lái)源:半導體(tǐ)行業(yè)觀察
|
作(zuò)者:sophie
|
發布時(shí)間(jiān): 2022-03-07
|
3046 次浏覽
|
分享到:
為(wèi)什麽我們需要高(gāo)性能封裝？
随着前端節點越來(lái)越小(xiǎo)，設計(jì)成本變得越來(lái)越重要。高(gāo)級封裝 (AP) 解決方案通(tōng)過降低(dī)成本、提高(gāo)系統性能、降低(dī)延遲、增加帶寬和(hé)電(diàn)源效率來(lái)幫助解決這(zhè)些問(wèn)題。高(gāo)端性能封裝平台是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 中介層、3D 堆棧存儲器(qì)和(hé) 3DSoC。嵌入式矽橋有(yǒu)兩種解決方案：台積電(diàn)的(de) LSI 和(hé)英特爾的(de) EMIB。對(duì)于Si interposer，通(tōng)常有(yǒu)台積電(diàn)、三星和(hé)聯電(diàn)提供的(de)經典版本，以及英特爾的(de)Foveros。EMIB 與 Foveros 結合産生(shēng)了 Co-EMIB，用于 Intel 的(de) Ponte Vecchio。同時(shí)，3D 堆棧存儲器(qì)由 HBM、3DS 和(hé) 3D NAND 堆棧三個(gè)類别表示。數據中心網絡、高(gāo)性能計(jì)算(suàn)和(hé)自(zì)動駕駛汽車正在推動高(gāo)端性能封裝的(de)采用，以及從(cóng)技(jì)術角度來(lái)看(kàn)的(de)演變。今天的(de)趨勢是在雲、邊緣計(jì)算(suàn)和(hé)設備級别擁有(yǒu)更大的(de)計(jì)算(suàn)資源。因此，不斷增長(cháng)的(de)需求正在推動高(gāo)端高(gāo)性能封裝的(de)采用。
高(gāo)性能封裝市(shì)場(chǎng)規模？據Yole預測，到 2027 年(nián)，高(gāo)性能封裝市(shì)場(chǎng)收入預計(jì)将達到78.7億美(měi)元，高(gāo)于 2021 年(nián)的(de)27.4億美(měi)元，2021-2027 年(nián)的(de)複合年(nián)增長(cháng)率為(wèi) 19%。到 2027 年(nián)，UHD FO、HBM、3DS 和(hé)有(yǒu)源 Si 中介層将占總市(shì)場(chǎng)份額的(de) 50% 以上(shàng)，是市(shì)場(chǎng)增長(cháng)的(de)最大貢獻者。嵌入式 Si 橋、3D NAND 堆棧、3D SoC 和(hé) HBM 是增長(cháng)最快的(de)四大貢獻者，每個(gè)貢獻者的(de) CAGR 都(dōu)大于 20%。由于電(diàn)信和(hé)基礎設施以及移動和(hé)消費(fèi)終端市(shì)場(chǎng)中高(gāo)端性能應用程序和(hé)人(rén)工(gōng)智能的(de)快速增長(cháng)，這(zhè)種演變是可能的(de)。高(gāo)端性能封裝代表了一個(gè)相(xiàng)對(duì)較小(xiǎo)的(de)業(yè)務，但(dàn)對(duì)半導體(tǐ)行業(yè)産生(shēng)了巨大的(de)影響，因為(wèi)它是幫助滿足比摩爾要求的(de)關鍵解決方案之一。
誰是赢家(jiā)，誰是輸家(jiā)？2021 年(nián)，頂級參與者為(wèi)一攬子(zǐ)活動進行了大約116億美(měi)元的(de)資本支出投資，因為(wèi)他(tā)們意識到這(zhè)對(duì)于對(duì)抗摩爾定律放(fàng)緩的(de)重要性。英特爾是這(zhè)個(gè)行業(yè)的(de)最大的(de)投資者，指出了35億美(měi)元。它的(de) 3D 芯片堆疊技(jì)術是 Foveros，它包括在有(yǒu)源矽中介層上(shàng)堆疊芯片。嵌入式多芯片互連橋是其采用 55 微(wēi)米凸塊間(jiān)距的(de) 2.5D 封裝解決方案。Foveros 和(hé) EMIB 的(de)結合誕生(shēng)了 Co-EMIB，用于 Ponte Vecchio GPU。英特爾計(jì)劃為(wèi) Foveros Direct 采用混合鍵合技(jì)術。台積電(diàn)緊随其後的(de)是 30.5億美(měi)元的(de)資本支出。在通(tōng)過 InFO 解決方案為(wèi) UHD FO 争取更多業(yè)務的(de)同時(shí)，台積電(diàn)還(hái)在為(wèi) 3D SoC 定義新的(de)系統級路(lù)線圖和(hé)技(jì)術。其 CoWoS 平台提供 RDL 或矽中介層解決方案，而其 LSI 平台是 EMIB 的(de)直接競争對(duì)手。台積電(diàn)已成為(wèi)高(gāo)端封裝巨頭，擁有(yǒu)領先的(de)前端先進節點，可以主導下(xià)一代系統級封裝。
